శామ్సంగ్ తన రెండవ తరం 10nm డ్రామ్ యొక్క భారీ ఉత్పత్తిని ప్రారంభిస్తుంది

ప్రపంచంలోని ఉత్తమ DRAM మరియు NAND మెమరీ తయారీదారులలో శామ్సంగ్ ఒకటి అనడంలో సందేహం లేదు, ఇప్పుడు దక్షిణ కొరియా తన రెండవ తరం DRAM యొక్క భారీ ఉత్పత్తిని 10nm వద్ద ప్రారంభించడం ద్వారా కొత్త అడుగు ముందుకు వేసింది.

శామ్సంగ్ ఇప్పటికే దాని రెండవ 10nm తరం తో DRAM ను భారీగా ఉత్పత్తి చేస్తుంది

రెండవ తరం తన 10 ఎన్ఎమ్ ప్రాసెస్‌ను ఉపయోగించి కొత్త డ్రామ్ మెమరీ చిప్‌ల భారీ ఉత్పత్తిని కంపెనీ ఇప్పటికే ప్రారంభించినట్లు శామ్‌సంగ్ అధ్యక్షుడు జ్యోయంగ్ జిన్ ప్రకటించారు. ఈ కొత్త టెక్నాలజీ మునుపటి ఉత్పాదక ప్రక్రియతో పోలిస్తే 10 nm వద్ద ఉత్పాదకతను 30% పెంచుతుంది, అదే సమయంలో, పనితీరు 10% పెరుగుతుంది, శక్తి సామర్థ్యం 15% పెరుగుతుంది.

RAMBUS DDR5 మెమరీ యొక్క లక్షణాల గురించి మాట్లాడుతుంది

ఈ మెరుగుదలలను సాధించడానికి, EUV సాంకేతిక పరిజ్ఞానం ఉపయోగించబడలేదు, కానీ శామ్సంగ్ యొక్క యాజమాన్య రూపకల్పన పద్ధతులు వర్తింపజేయబడ్డాయి. పరాన్నజీవి కెపాసిటేషన్‌ను తగ్గించడానికి " ఎయిర్ స్పేసర్లు " ఉపయోగించబడుతున్నాయని, మెమరీ కణాల పనితీరును పెంచడానికి అవసరమైన శక్తి యొక్క అధిక వినియోగాన్ని తగ్గిస్తుందని కంపెనీ పేర్కొంది.

శామ్సంగ్ యొక్క కొత్త రెండవ తరం 10nm DRAM 3, 600 Mbps వద్ద పనిచేయగలదు, ప్రస్తుత మెమరీ అందించే 3, 200 Mbps కన్నా గణనీయమైన మెరుగుదలను అందిస్తుంది. శామ్సంగ్ యొక్క తరువాతి తరం డిడిఆర్ 4 మెమరీ తక్కువ తీవ్ర ఐసి పూలింగ్ ప్రక్రియలతో హై-స్పీడ్ మెమరీ కిట్ల ఉత్పత్తిని అనుమతిస్తుంది, ఇది హై-స్పీడ్ డిడిఆర్ 4 మెమరీ ధరను తగ్గించగలదు.

ఈ కొత్త టెక్నిక్ DDR4 కు ప్రత్యేకమైనది కాదు, అయితే భవిష్యత్తులో DRB మెమరీ ప్రమాణాలైన HBM3, DDR5, GDDR6 మరియు LPDDR5 లలో కూడా ఉపయోగించబడుతుంది. ఈ కొత్త రకాల జ్ఞాపకశక్తిని వీలైనంత త్వరగా మార్కెట్లోకి తీసుకురావడానికి శామ్సంగ్ ఇప్పటికే తీవ్రంగా కృషి చేస్తోంది మరియు తద్వారా ఈ రంగంలో తన నాయకత్వాన్ని మరోసారి బలోపేతం చేస్తుంది.

ఓవర్‌క్లాక్ 3 డి ఫాంట్