శామ్సంగ్ యూఫ్స్ 3.0 మాడ్యూళ్ళ యొక్క భారీ ఉత్పత్తిని ప్రారంభిస్తుంది

పరిశ్రమ యొక్క మొట్టమొదటి 512GB eUFS 3.0 ఇంటిగ్రేటెడ్ యూనివర్సల్ ఫ్లాష్ స్టోరేజ్ మాడ్యూళ్ళను తదుపరి తరం మొబైల్ పరికరాల కోసం భారీగా ఉత్పత్తి చేయడం ప్రారంభించినట్లు శామ్సంగ్ ఈ రోజు ప్రకటించింది.

నెక్స్ట్-జనరేషన్ స్మార్ట్‌ఫోన్‌లు 1 టిబి వరకు సామర్థ్యాలను కలిగి ఉంటాయి

సరికొత్త eUFS 3.0 స్పెసిఫికేషన్‌కు అనుగుణంగా, కొత్త శామ్‌సంగ్ మెమరీ మునుపటి eUFS (eUFS 2.1) కంటే రెండు రెట్లు ఎక్కువ వేగాన్ని అందిస్తుంది, ఇది భవిష్యత్ స్మార్ట్‌ఫోన్‌లలో riv హించని వినియోగదారు అనుభవాన్ని పెద్ద హై-రిజల్యూషన్ డిస్ప్లేలతో రెండు రెట్లు అధికంగా అందిస్తుంది. స్మార్ట్‌ఫోన్‌లలో నిల్వ సామర్థ్యాన్ని మూడు రెట్లు పెంచండి.

సామ్‌సంగ్ పరిశ్రమ యొక్క మొట్టమొదటి UFS ఇంటర్‌ఫేస్‌ను జనవరి 2015 లో eUFS 2.0 తో ఉత్పత్తి చేసింది, ఇది ఆ సమయంలో మొబైల్ మెమరీ ప్రమాణం కంటే 1.4 రెట్లు వేగంగా ఉంది, దీనిని ఇంటిగ్రేటెడ్ మీడియా కార్డ్ (eMMC) 5.1 అని పిలుస్తారు. కేవలం నాలుగు సంవత్సరాలలో, సంస్థ యొక్క కొత్త eUFS 3.0 నేటి అల్ట్రాబుక్ నోట్బుక్ల పనితీరుతో సరిపోతుంది.

శామ్సంగ్ యొక్క 512GB eUFS 3.0 సంస్థ యొక్క ఐదవ తరం 512-గిగాబిట్ (Gb) V-NAND శ్రేణులలో ఎనిమిది నిలుస్తుంది మరియు అధిక-పనితీరు నియంత్రికను అనుసంధానిస్తుంది. సెకనుకు 2, 100 మెగాబైట్ల (MB / s) వద్ద, కొత్త eUFS జనవరిలో ప్రకటించిన శామ్‌సంగ్ యొక్క తాజా eUFS మెమరీ (eUFS 2.1) యొక్క సీక్వెన్షియల్ రీడ్ స్పీడ్‌ను రెట్టింపు చేస్తుంది. కొత్త పరిష్కారం యొక్క రీడ్ స్పీడ్ SATA సాలిడ్ స్టేట్ డ్రైవ్ (SSD) కంటే నాలుగు రెట్లు వేగంగా మరియు నేటి మైక్రో SD కార్డ్ కంటే 20 రెట్లు వేగంగా ఉంటుంది.

వ్రాసే వేగం 410 MB / s వరకు ఉంటుంది, ఇది ప్రస్తుత SATA SSD కి సమానం. ఇది సెకనుకు 63, 000 మరియు 68, 000 ఇన్పుట్ / అవుట్పుట్ ఆపరేషన్లు (IOPS) గా అంచనా వేయబడింది.

శామ్సంగ్ ఈ సంవత్సరం రెండవ భాగంలో 1 టిబి ఇయుఎఫ్ఎస్ 3.0 మాడ్యూళ్ళను తయారు చేయాలని యోచిస్తోంది.

టెక్‌పవర్అప్ ఫాంట్