3 డి నాండ్ మెమరీ 2020 లో 120 పొరలకు చేరుకుంటుంది

జపాన్‌లోని ఇంటర్నేషనల్ మెమరీ వర్క్‌షాప్ (IMW) లో అప్లైడ్ మెటీరియల్స్ యొక్క సీన్ కాంగ్ తదుపరి తరాల 3D NAND ఫ్లాష్ గురించి మాట్లాడారు. రోడ్‌మ్యాప్ ఈ రకమైన మెమరీలోని పొరల సంఖ్య 140 కన్నా ఎక్కువ పెరగాలని, అదే సమయంలో చిప్స్ సన్నగా ఉండాలని చెప్పారు.

3D NAND మెమరీలో పురోగతి 120TB SSD లను ప్రారంభిస్తుంది

3D NAND మెమరీలో మెమరీ కణాలు ఒక విమానంలో కాదు, ఒకదానిపై ఒకటి అనేక పొరలలో ఉంటాయి. ఈ విధంగా, చిప్ ప్రాంతాన్ని పెంచకుండా లేదా కణాలు సంకోచించకుండా చిప్ (అర్రే) కు నిల్వ సామర్థ్యాన్ని గణనీయంగా పెంచవచ్చు. దాదాపు ఐదు సంవత్సరాల క్రితం మొదటి 3D NAND కనిపించింది, శామ్సంగ్ యొక్క మొదటి తరం V-NAND 24 పొరలను కలిగి ఉంది. తరువాతి తరంలో, 32 పొరలు ఉపయోగించబడ్డాయి, తరువాత 48 పొరలు. ప్రస్తుతం, చాలా మంది తయారీదారులు 64 పొరలను చేరుకున్నారు, ఎస్కె హైనిక్స్ 72 పొరలతో ముందుంది.

SATA, M.2 NVMe మరియు PCIe (2018) యొక్క ఉత్తమ SSD లలో మా పోస్ట్‌ను చదవమని మేము సిఫార్సు చేస్తున్నాము.

ఈ సంవత్సరానికి సంబంధించిన రోడ్‌మ్యాప్ 90 కంటే ఎక్కువ పొరల గురించి మాట్లాడుతుంది, అంటే 40 శాతానికి పైగా పెరుగుదల. అదే సమయంలో, నిల్వ స్టాక్ యొక్క ఎత్తు 4.5 μm నుండి 5.5 వరకు 20% మాత్రమే పెరుగుతుంది. ఎందుకంటే, అదే సమయంలో, ఒక పొర యొక్క మందం 60nm నుండి 55nm కు తగ్గుతుంది. 2015 లో మైక్రోన్ ఇప్పటికే ఉపయోగించిన మెమరీ సెల్ డిజైన్ మరియు CMOS అండర్ అర్రే (CUA) టెక్నాలజీకి అనుసరణలు ఈ తరం యొక్క ముఖ్య లక్షణాలు.

కాంగ్ యొక్క రోడ్‌మ్యాప్ 3D NAND కోసం 120 కంటే ఎక్కువ పొరలలో తదుపరి దశను చూస్తుంది, ఇది 2020 నాటికి సాధించబడుతుంది. 2021 నాటికి, 140 కంటే ఎక్కువ పొరలు మరియు 8 μm స్టాకింగ్ ఎత్తు అంచనా వేయబడింది, దీని కోసం కొత్త పదార్థాల ఉపయోగం అవసరం. రోడ్‌మ్యాప్ నిల్వ సామర్థ్యాలను పరిష్కరించదు.

ప్రస్తుతం, తయారీదారులు 64-లేయర్ టెక్నాలజీతో మ్యాట్రిక్స్కు 512 గిగాబిట్లకు చేరుకున్నారు. 96 పొరలతో 768 గిగాబిట్ ప్రారంభంలో మరియు 128 పొరలతో చివరకు 1024 గిగాబిట్ సాధించబడుతుంది, కాబట్టి ఒక టెరాబిట్ చుట్టూ సాధ్యమే. ప్రతి సెల్ క్యూఎల్‌సి టెక్నాలజీకి నాలుగు-బిట్ 96 పొరల నిర్మాణంతో టెరాబిట్ చిప్‌లను కూడా ప్రారంభించగలదు. ఐదవ తరం V-NAND తో దీనిని సాధించాలని మరియు ఈ ప్రాతిపదికన మొదటి 128TB SSD లను పరిచయం చేయాలని శామ్సంగ్ కోరుకుంటుంది.

టెక్‌పవర్అప్ ఫాంట్